From 28e45628548ab3165584f56e3c85d293abef95ad Mon Sep 17 00:00:00 2001
From: Andrew Guschin <guschin.drew@gmail.com>
Date: Mon, 16 May 2022 14:10:26 +0400
Subject: =?UTF-8?q?=D0=94=D0=BE=D0=B1=D0=B0=D0=B2=D0=BB=D0=B5=D0=BD=D0=B8?=
 =?UTF-8?q?=D0=B5=20=D1=82=D0=B5=D0=BE=D1=80=D0=B8=D0=B8=20=D0=BF=D0=B5?=
 =?UTF-8?q?=D1=80=D0=B5=D0=B2=D0=BE=D0=B4=D0=B0=20=D0=B8=20=D1=80=D0=B5?=
 =?UTF-8?q?=D1=84=D0=B5=D1=80=D0=B0=D1=82=D0=BE=D0=B2=20=D0=BF=D0=BE=20?=
 =?UTF-8?q?=D1=81=D1=85=D0=B5=D0=BC=D0=BE=D1=82=D0=B5=D1=85=D0=BD=D0=B8?=
 =?UTF-8?q?=D0=BA=D0=B5?=
MIME-Version: 1.0
Content-Type: text/plain; charset=UTF-8
Content-Transfer-Encoding: 8bit

---
 circuitry/referat.tex | 344 --------------------------------------------------
 1 file changed, 344 deletions(-)
 delete mode 100644 circuitry/referat.tex

(limited to 'circuitry/referat.tex')

diff --git a/circuitry/referat.tex b/circuitry/referat.tex
deleted file mode 100644
index 38c30f0..0000000
--- a/circuitry/referat.tex
+++ /dev/null
@@ -1,344 +0,0 @@
-\documentclass[spec, och, referat]{SCWorks}
-% параметр - тип обучения - одно из значений:
-%    spec     - специальность
-%    bachelor - бакалавриат (по умолчанию)
-%    master   - магистратура
-% параметр - форма обучения - одно из значений:
-%    och   - очное (по умолчанию)
-%    zaoch - заочное
-% параметр - тип работы - одно из значений:
-%    referat    - реферат
-%    coursework - курсовая работа (по умолчанию)
-%    diploma    - дипломная работа
-%    pract      - отчет по практике
-% параметр - включение шрифта
-%    times    - включение шрифта Times New Roman (если установлен)
-%               по умолчанию выключен
-% \usepackage{subfigure}
-\usepackage{tikz,pgfplots}
-\pgfplotsset{compat=1.5}
-\usepackage{float}
-
-%\usepackage{titlesec}
-\setcounter{secnumdepth}{4}
-%\titleformat{\paragraph}
-%{\normalfont\normalsize}{\theparagraph}{1em}{}
-%\titlespacing*{\paragraph}
-%{35.5pt}{3.25ex plus 1ex minus .2ex}{1.5ex plus .2ex}
-
-\titleformat{\paragraph}[block]
-{\hspace{1.25cm}\normalfont}
-{\theparagraph}{1ex}{}
-\titlespacing{\paragraph}
-{0cm}{2ex plus 1ex minus .2ex}{.4ex plus.2ex}
-
-% -------------------------------------------------------------------------- %
-
-
-\usepackage[T2A]{fontenc}
-\usepackage[utf8]{inputenc}
-\usepackage{graphicx}
-\graphicspath{ {./images/} }
-\usepackage{tempora}
-
-\usepackage[sort,compress]{cite}
-% \usepackage{amsmath}
-% \usepackage{amssymb}
-% \usepackage{amsthm}
-% \usepackage{fancyvrb}
-% \usepackage{listings}
-% \usepackage{listingsutf8}
-% \usepackage{longtable}
-% \usepackage{array}
-\usepackage[english,russian]{babel}
-
-\usepackage[hidelinks]{hyperref}
-\usepackage{url}
-
-\usepackage{underscore}
-\usepackage{setspace}
-\usepackage{indentfirst} 
-\usepackage{mathtools}
-\usepackage{amsfonts}
-\usepackage{enumitem}
-\usepackage{tikz}
-
-\usepackage{caption}
-\usepackage{subcaption}
-
-\newcommand{\eqdef}{\stackrel {\rm def}{=}}
-\newcommand{\specialcell}[2][c]{%
-\begin{tabular}[#1]{@{}c@{}}#2\end{tabular}}
-
-% \renewcommand\theFancyVerbLine{\small\arabic{FancyVerbLine}}
-
-\newtheorem{lem}{Лемма}
-
-\begin{document}
-
-% Кафедра (в родительном падеже)
-\chair{}
-
-% Тема работы
-\title{Биполярные транзисторы}
-
-% Курс
-\course{3}
-
-% Группа
-\group{331}
-
-% Факультет (в родительном падеже) (по умолчанию "факультета КНиИТ")
-\department{факультета КНиИТ}
-
-% Специальность/направление код - наименование
-%\napravlenie{09.03.04 "--- Программная инженерия}
-%\napravlenie{010500 "--- Математическое обеспечение и администрирование информационных систем}
-%\napravlenie{230100 "--- Информатика и вычислительная техника}
-%\napravlenie{231000 "--- Программная инженерия}
-\napravlenie{10.05.01 "--- Компьютерная безопасность}
-
-% Для студентки. Для работы студента следующая команда не нужна.
-% \studenttitle{Студентки}
-
-% Фамилия, имя, отчество в родительном падеже
-\author{Гущина Андрея Юрьевича}
-
-% Заведующий кафедрой
-% \chtitle{} % степень, звание
-% \chname{}
-
-%Научный руководитель (для реферата преподаватель проверяющий работу)
-\satitle{преподаватель} %должность, степень, звание
-\saname{Р.~А.~Торгашов}
-
-% Руководитель практики от организации (только для практики,
-% для остальных типов работ не используется)
-% \patitle{к.ф.-м.н.}
-% \paname{С.~В.~Миронов}
-
-% Семестр (только для практики, для остальных
-% типов работ не используется)
-%\term{8}
-
-% Наименование практики (только для практики, для остальных
-% типов работ не используется)
-%\practtype{преддипломная}
-
-% Продолжительность практики (количество недель) (только для практики,
-% для остальных типов работ не используется)
-%\duration{4}
-
-% Даты начала и окончания практики (только для практики, для остальных
-% типов работ не используется)
-%\practStart{30.04.2019}
-%\practFinish{27.05.2019}
-
-% Год выполнения отчета
-\date{2022}
-
-\maketitle
-
-\tableofcontents
-
-% Включение нумерации рисунков, формул и таблиц по разделам
-% (по умолчанию - нумерация сквозная)
-% (допускается оба вида нумерации)
-% \secNumbering
-
-% -------------------------------------------------------------------------- %
-
-\intro
-
-В 1928 году были изобретены первые полевые транзисторы, а биполярные транзисторы
-появились в 1947 году в лаборатории Bell Labs. И это была, без преувеличения,
-революция в электронике. За 30 лет развития, транзисторы почти полностью
-вытеснили электронные лампы и стали основой полупроводниковых интегральных схем,
-благодаря этому, электронная техника стала значительно более экономичной,
-функциональной и миниатюрной. Транзисторы и интегральные схемы на их основе
-вызвали бурное развитие компьютерной техники. В начале 21"=го века транзистор
-стал одним из самых массовых изделий, производимых человечеством. В 2013 году на
-каждого жителя Земли было выпущено около 15 миллиардов транзисторов (большинство
-из них "--- в составе интегральных схем). \cite{wiki}
-
-
-\section{Основные характеристики}
-
-\textbf{Биполярные транзисторы} (либо \textbf{триоды}) "--- электронные
-полупроводниковые приборы, отличающиеся от полевых способом переноса заряда. В
-полевых (однополярных) транзисторах, используемых в основном в цифровых
-устройствах, заряд переносится или дырками, или электронами. В биполярных же в
-процессе участвуют и электроны, и дырки. Применяются в аналоговых устройствах.
-
-Полупроводниковый кристалл транзистора состоит из трех областей с чередующимися
-типами электропроводности, между которыми находятся два P"=N"=перехода. Средняя
-область обычно выполняется очень тонкой (доли микрона), поэтому P"=N"=переходы
-близко расположены один от другого.
-
-Управление величиной протекающего в выходной цепи (в цепи коллектора или
-эмиттера) биполярного транзистора тока осуществляется с помощью тока в цепи
-управляющего электрода "--- базы. \textbf{Базой} называется средний слой в
-структуре транзистора. Крайние слои называются \textbf{эмиттер} (испускать,
-извергать) и \textbf{коллектор} (собирать). Концентрация примесей (а,
-следовательно, и основных носителей зарядов) в эмиттере существенно больше, чем
-в базе и больше, чем в коллекторе. Поэтому эмиттерная область самая низкоомная.
-
-При подключении эмиттера и коллектора к источнику питания создаются почти все
-условия для протекания тока. Однако свободному перемещению носителей заряда
-препятствует база, и для устранения этой помехи на неё подаётся напряжение
-смещения. В базовом слое полупроводника возникают физико"=химические процессы
-электронно"=дырочной рекомбинации, в результате которой через базу начинает течь
-небольшой ток. В результате P"=N"=переходы открывают путь потоку носителей
-заряда от эмиттера к коллектору.
-
-Если ток, протекающий через базу, меняется по какому"=то закону, то точно так же
-изменяется и мощный ток между эмиттером и коллектором. Следовательно, на выходе
-биполярного транзистора получается такой же сигнал, как и на базе, но с более
-высокой мощностью. \cite{eandc}
-
-В зависимости от типа проводимости эмиттера, коллектора и базы различают
-P"=N"=P"= и N"=P"=N"=транзисторы. Единственное функциональное отличие между
-этими видами транзисторов заключается в полярности приложенного напряжения.
-Выбор того или иного вида биполярного транзистора определяется особенностями
-конкретных радиотехнических устройств.
-
-Биполярный транзистор является наиболее распространенным активным
-полупроводниковым прибором. В качестве основного материала для изготовления
-биполярных транзисторов в настоящее время используется кремний. При этом
-преимущественно изготавливают транзисторы N"=P"=N"=типа, в которых основными
-носителями заряда являются электроны, имеющие подвижность в 2 -- 3 раза выше,
-чем подвижность дырок. \cite{studopedia}
-
-На рисунке \ref{fig:scheme-transistor} представлено обозначение биполярного
-транзистора в электрической схеме.
-
-\begin{figure}[h]
-    \centering
-    \begin{subfigure}[b]{0.4\textwidth}
-        \centering
-        \includegraphics[width=\textwidth]{image_1.png}
-        \caption{P"=N"=P"=транзистор}
-    \end{subfigure}
-    \begin{subfigure}[b]{0.4\textwidth}
-        \centering
-        \includegraphics[width=\textwidth]{image_2.png}
-        \caption{N"=P"=N"=транзистор}
-    \end{subfigure}
-    \caption{Обозначение транзистора}
-    \label{fig:scheme-transistor}
-\end{figure}
-
-Разберёмся, какой тип отображает каждый рисунок. N означает Negative и содержит
-свободные электроны, а P (Positive) "--- положительно заряженные атомы или
-<<дырки>>. Ток течёт в направлении противоположном движению отрицательных
-частиц.
-
-На схеме нарисована стрелка, идущая от эмиттера к базе или наоборот. Она
-показывает направление управляющего тока. Если база изготовлена из
-N"=полупроводника, то стрелка обращена к ней. Если стрелка направлена к
-эмиттеру, то это N"=P"=N тип.
-
-
-\section{Применение}
-
-Основной функцией биполярного транзистора (БТ) является увеличение мощности
-входного электрического сигнала. Эти полупроводниковые радиокомпоненты
-появились, как альтернатива электровакуумных триодов, и со временем практически
-вытеснили их из отрасли. Хотя лампы применяются и до сих пор, в очень узком
-сегменте аппаратуры специального назначения, в массовой радиотехнике
-используются, в основном, транзисторы "--- биполярные и их ближайшие
-<<родственники>> полевые.
-
-\subsection{Режимы работы}
-
-\begin{enumerate}
-    \item
-        \textbf{Инверсный активный режим}. Здесь открыт переход БК, а ЭБ
-        наоборот закрыт. Усилительные свойства в этом режиме, естественно, хуже
-        некуда, поэтому транзисторы в этом режиме используются очень редко.
-    \item
-        \textbf{Режим насыщения}. Оба перехода открыты. Соответственно, основные
-        носители заряда коллектора и эмиттера <<бегут>> в базу, где активно
-        рекомбинируют с ее основными носителями. Из"=за возникающей избыточности
-        носителей заряда сопротивление базы и P"=N переходов уменьшается.
-        Поэтому цепь, содержащую транзистор в режиме насыщения можно считать
-        короткозамкнутой, а сам этот радиоэлемент представлять в виде
-        эквипотенциальной точки.
-    \item
-        \textbf{Режим отсечки}. Оба перехода транзистора закрыты, т.е. ток
-        основных носителей заряда между эмиттером и коллектором прекращается.
-        Потоки неосновных носителей заряда создают только малые и неуправляемые
-        тепловые токи переходов. Из"=за бедности базы и переходов носителями
-        зарядов, их сопротивление сильно возрастает. Поэтому часто считают, что
-        транзистор, работающий в режиме отсечки, представляет собой разрыв цепи.
-    \item
-        \textbf{Барьерный режим}. В этом режиме база напрямую или через малое
-        сопротивление замкнута с коллектором. Также в коллекторную или
-        эмиттерную цепь включают резистор, который задает ток через транзистор.
-        Таким образом получается эквивалент схемы диода с последовательно
-        включенным сопротивлением. Этот режим очень полезный, так как позволяет
-        схеме работать практически на любой частоте, в большом диапазоне
-        температур и нетребователен к параметрам транзисторов. \cite{habr}
-\end{enumerate}
-
-
-\section{Схемы включения}
-
-Поскольку контактов у транзистора три, то в общем случае питание на него нужно
-подавать от двух источников, у которых вместе получается четыре вывода. Поэтому
-на один из контактов транзистора приходится подавать напряжение одинакового
-знака от обоих источников. И в зависимости от того, что это за контакт,
-различают три схемы включения биполярных транзисторов: с общим эмиттером (ОЭ),
-общим коллектором (ОК) и общей базой (ОБ). У каждой из них есть как достоинства,
-так и недостатки. Выбор между ними делается в зависимости от того, какие
-параметры для нас важны, а какими можно поступиться.
-
-На рисунке \ref{fig:switching-scheme} изображены возможные схемы включения в
-цепь.
-
-\begin{figure}[h]
-    \centering
-    \begin{subfigure}[b]{0.3\textwidth}
-        \centering
-        \includegraphics[width=\textwidth]{shared_base.jpeg}
-        \caption{С общей базой}
-    \end{subfigure}
-    \begin{subfigure}[b]{0.3\textwidth}
-        \centering
-        \includegraphics[width=\textwidth]{shared_emitter.jpeg}
-        \caption{С общим эмиттером}
-    \end{subfigure}
-    \begin{subfigure}[b]{0.3\textwidth}
-        \centering
-        \includegraphics[width=\textwidth]{shared_collector.jpeg}
-        \caption{С общим коллектором}
-    \end{subfigure}
-    \caption{Схемы включения транзистора}
-    \label{fig:switching-scheme}
-\end{figure}
-
-\begin{itemize}
-    \item 
-        Схема включения с общим эмиттером даёт наибольшее усиление по напряжению
-        и току (а отсюда и по мощности "--- до десятков тысяч единиц), в связи с
-        чем является наиболее распространенной.
-    \item
-        Схема включения с общей базой не даёт значительного усиления сигнала,
-        зато хороша на высоких частотах, поскольку позволяет более полно
-        использовать частотную характеристику транзистора.
-    \item
-        Особенность схемы включения с общим коллектором заключается в том, что
-        входное напряжение полностью передаётся обратно на вход, т.е. очень
-        сильна отрицательная обратная связь. \cite{radioelementy}
-\end{itemize}
-
-
-\begin{thebibliography}{99}
-    \bibitem{studopedia} Биполярные транзисторы [Электронный ресурс] -- URL:~\url{https://studopedia.ru/7_31925_bipolyarnie-tranzistori.html} (дата обращения 13.04.2022) -- Загл. с экрана. Яз. рус.
-    \bibitem{habr} Биполярные транзисторы. For dummies [Электронный ресурс] -- URL:~\url{https://habr.com/ru/post/133136/} (дата обращения 13.04.2022) -- Загл. с экрана. Яз. рус.
-    \bibitem{radioelementy} Биполярные транзисторы: принцип работы, характеристики и параметры [Электронный ресурс] -- URL:~\url{https://www.radioelementy.ru/articles/bipolyarnye-tranzistory/} (дата обращения 13.04.2022) -- Загл. с экрана. Яз. рус.
-    \bibitem{eandc} Биполярные транзисторы: устройство, принцип и режимы работы, схема включения, применение, основные параметры [Электронный ресурс] -- URL:~\url{https://eandc.ru/news/detail.php?ID=21477} (дата обращения 13.04.2022) -- Загл. с экрана. Яз. рус.
-    \bibitem{wiki} Транзистор [Электронный ресурс] // Википедия [Электронный ресурс] : свободная энциклопедия / текст доступен по лицензии Creative Commons Attribution-ShareAlike ; Wikimedia Foundation, Inc, некоммерческой организации. - Wikipedia®, 2001- . - URL: https://ru.wikipedia.org/wiki/Транзистор (дата обращения: 13.04.2022). -- Загл. с экрана. - Последнее изменение страницы: 22:18, 21 января 2022 года. -- Яз. рус.
-\end{thebibliography}
-
-\end{document}
\ No newline at end of file
-- 
cgit v1.2.3

